[发明专利]利用硒化反应的衬底键合

摘要

公开了一种硒化反应,用来将一个或多个有源衬底键合到基底衬底。借助于在有源衬底A的键合表面12上形成由硒和铟组成的第一多层叠层15以及在基底衬底B的安装表面14上形成由硒和铟组成的第二多层叠层17,来制造键合衬底。使第一和第二多层叠层(15,17)在基本上无压力的情况下彼此接触。然后,借助于在惰性气氛中对其进行退火,以形成将衬底(A,B)彼此粘附键合的铟硒化合物键合层,从而使有源衬底A与基底衬底B彼此键合。此退火能够在低于现有技术晶片键合工艺的温度下进行,且第一和第二多层叠层(15,17)能够在包括室温的比较低的宽温度范围内被淀积。此外,可以将碲加入到第一和第二多层叠层(15,17)中的一个或二者的硒中,以便降低退火温度并形成将衬底(A,B)彼此粘附键合的铟－硒－碲化合物键合层19。元素化合物或非晶化合物能够被用于第一和第二多层叠层(15,17)的材料,以便分别形成多晶或非晶化合物键合层19。化合物键合层19的一个优点是能够用选择性湿法腐蚀材料溶解,致使能够非破坏性地彼此分离有源衬底A和基底衬底B。

主权项

1.一种制造键合衬底的方法，此键合衬底包括至少一个有源衬底A和一个用硒化反应在其上键合有源衬底A的基底衬底B，此方法包含：借助于在有源衬底A的键合表面12上淀积由第一材料11和第二材料13组成的交替层而形成第一多层叠层15，第一材料11包括硒，而第二材料13包括选自铟、镓、锑、铝的材料；借助于在基底衬底B的安装表面14上淀积由第一材料11和第二材料13组成的交替层而形成第二多层叠层17；使第一和第二多层叠层(15，17)彼此接触；以及借助于在惰性气氛中对衬底(A，B)进行退火，以形成将衬底(A，B)彼此粘附键合的化合物键合层19，从而将有源衬底和基底衬底(A，B)彼此键合。