[发明专利]半导体装置和半导体装置制造用掩模无效
| 申请号： | 02104991.2 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1384696A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 山田努;西川龙司 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/20 | 分类号： | H05B33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是在有机EL显示器中,使有机发光层的膜厚均一化以增大有效发光面积。在有机EL显示器的每一个象素上都形成阳极和公用阴极,用薄膜晶体管13、42进行切换向阳极61和阴极间通电,使有机EL器件发光。有机EL器件由空穴输运层、有机发光层和电子输运层构成,在被配置成矩阵状的多个象素之内,对于相邻的同色象素使有机发光层公用化(斜线部分)。采用进行公用化的办法,就可以防止蒸镀时的荫罩的端部的有机发光层的膜厚减少,可以使阳极61上边的有机发光层的膜厚均一化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 用掩模 | ||
【主权项】：
1.一种在第1电极和第2电极之间把具有发光层的多个象素配置成矩阵状构成的半导体装置，其特征在于：在上述每一个象素上都设置上述第1电极或第2电极中的至少一者，上述发光层在多个上述象素之内在相邻的象素间公用化。
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