[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 02105132.1 | 申请日： | 2002-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1372308A | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;三津木亨;高野圭惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜,则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的,在半导体膜中可能出现畸变。这样,在某些情况下,得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明,借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后,用热处理工艺对半导体膜进行加热,降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热,此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此,有可能降低形成在半导体膜中的畸变,从而提高半导体膜的物理性质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：借助于将激光辐照到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜；以及对结晶半导体膜进行热处理，以降低形成在结晶半导体膜中的畸变，其中的畸变由激光辐照引起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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