[发明专利]互补双极晶体管及其制造方法

摘要

有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

主权项

1.一种横向双极晶体管，其包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的半导体层，其形成在该衬底上；第二导电类型的掩埋层，其形成在衬底和半导体层之间，并且具有高于半导体层的较高杂质浓度；在半导体层中形成的第二导电类型的第一桶形区，第一桶形区从半导体层的上表面向下延伸，并且具有高于半导体层的较高杂质浓度；在第一桶形区中形成的第一导电类型的发射区，其从半导体层上表面向下延伸，第一导电类型的集电区，形成在半导体层中，与第一桶形区相互隔开，集电区从半导体上表面向下延伸，并围绕桶形区；第二导电类型的第一区，形成在半导体层中，与第一桶形区和集电区分离，第一区从半导体层上表面向下延伸，具有高于半导体层的较高杂质浓度；其中，发射区有第一高浓度区和第一低浓度区，该第一低浓度区具有低于第一高浓度区的较低杂质浓度，集电区有第二低浓度区和第二高浓度区，该第二高浓度区具有高于第二低浓度区的较高杂质浓度，并且围绕第二高浓度区。