[发明专利]导电膜形成方法,缺陷补偿方法、光电元件及其制造方法有效
| 申请号： | 02105899.7 | 申请日： | 2002-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1383217A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 山下敏裕;高井康好;伊泽博司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法,其中将电压彼此独立地分别施加于靶和衬底上,控制出现在衬底中的偏压以便仅在除了半导体层缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜,由此抑制透明导电膜的分流并获得其优异的外观。还提供半导体层的有缺陷区域补偿方法,光电元件,和制造此光电元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 缺陷 补偿 光电 元件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法，包括：彼此独立地将电压分别施加于靶和衬底，控制在衬底中出现的偏压以便仅在除了半导体层的有缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
