[发明专利]往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板无效
| 申请号： | 02105907.1 | 申请日： | 2002-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1380449A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;上野昌纪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B31/00;H01L21/205;H01L21/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥,张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶,在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时,保持C面以外的表面,使氮化镓结晶进行气相成长,通过该表面,在氮化镓结晶中掺杂氧。或者,使用表面上具有C面的种晶,在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时,使产生C面以外的小平面,在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长,通过小平面,在氮化镓结晶中掺杂氧。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 结晶 掺杂 方法 镓单晶基板 | ||
【主权项】：
1.一种往氮化镓结晶掺杂氧的方法，其特征是，在供给：不含Si化合物的镓原料、氮原料和必须掺杂的含氧的原料气的同时保住C面以外的表面，使氮化镓结晶气相成长，通过该C面以外的面，往结晶中进行氧的掺杂。
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