[发明专利]第III族氮化物半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 02105992.6 | 申请日： | 2002-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1380727A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 渡边温;木村义则;太田启之 | 申请（专利权）人： | 先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体激光器,其中激励电压较低并且光线的横模稳定,它具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层,第III族氮化物半导体通过公式(AlxGa1－x)1－yInyN(其中0≤x≤1,0≤y≤1)表示。该层包括一个激活层侧导引层,它接近于第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Alx’Ga1－x’－y’Iny’N(其中0≤x’≤1,0≤y’≤1)构成,沉积在所述引导层上并且具有条纹状孔隙的电流压缩AlN层,包括一个由Alx”Ga1－x”－y”Iny”N(其中0≤x”≤1,0≤y”≤1)构成并且沉积填充电流压缩层孔隙的电极侧导引层,以及一个由AluGa1－u－vInvN(其中0≤u≤1,0≤v≤1)构成并且沉积在电极侧导引层上的镀层。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层的氮化物半导体激光器，其中第III族氮化物半导体由公式(AlxGa1-x)1-yInyN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括：接近于在所述第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Alx’Ga1-x’-y’Iny’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成的激活层侧导引层；沉积在所述激活层侧导引层上并且具有条纹状孔隙的一个电流压缩AlN层；由Alx”Ga1-x”-y”Iny”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)构成的并且沉积以填充所述电流压缩层孔隙的电极侧导引层；以及由AluGa1-u-vInvN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)构成并且沉积在所述电极侧导引层上的一个镀层。
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