[发明专利]具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法有效
| 申请号： | 02106071.1 | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1450654A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林友民;侯拓宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/10;H01L21/283;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法，该复晶硅栅间介电层结构至少包括：至少一第一金属氧化层，其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；至少一第二金属氧化层，其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；及至少一第三金属氧化层，其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化层与该第二金属氧化层之间，而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、Ti或Ta；而该复晶硅栅间介电层的结构的形成方法至少包括下列步骤：形成一第一三价金属氧化层于一复晶硅层上；形成一金属氧化层于该第一三价金属氧化层上；及形成一第二三价金属氧化层于该金属氧化层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 复晶硅栅间介电层 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构，其特征是：该复晶硅栅间介电层位于二个复晶硅层之间，该复晶硅栅间介电层结构至少包括：至少一第一金属氧化层，其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；至少一第二金属氧化层，其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；及至少一第三金属氧化层，其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化层与该第二金属氧化层之间，而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、Ti或Ta。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02106071.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：印刷电路板支撑顶针的定位方法
- 下一篇：光机成像总成散热装置
- 同类专利
- 专利分类
