[发明专利]用于利用磁场形成金属薄膜的溅射装置无效
| 申请号： | 02106239.0 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1407130A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朴荣奎;严显镒;申在光;金圣九 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种溅射装置，包括溅射室，放置在溅射室中的靶极，以及在靶极前面产生旋转磁场的磁场发生器。该磁场发生器包括朝向该靶极背面的主磁场产生部件，并且相对于穿过该靶极中心的垂直线水平偏移。主磁场产生部件的磁环形成一面向靶极中心部分和边缘部分的位置有穿过磁环的开口的磁性围栏。该磁场产生部分因此在靶极前面产生一非均匀分布的磁场。一个衬底被放置在溅射室内部，面对靶极的前面。由靶极前面溅射出的原子在衬底上形成一金属层。该被溅射出的原子的动作被该磁场有效地控制着。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 磁场 形成 金属 薄膜 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种溅射装置，包括：溅射室，具有在通过溅射在衬底上形成涂层时专门用于安放衬底的区域；靶极，放置在所述的溅射室内，在溅射过程中，靶极的前面正对着衬底区域；以及磁场发生器，包括对着靶极背面的主磁场产生部件，该主磁场产生部件包括一个在相对于穿过所述靶极的中心的垂直轴线水平偏移的磁环，所述的磁环带有沿着直径方向延伸穿过磁环的开口，所述开口沿着在磁环偏离所述垂直轴线的方向上延伸的直径线定位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02106239.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直线传动装置
- 下一篇：水系保护膜剥离液管理装置及水系保护膜剥离液管理方法
- 同类专利
- 专利分类
