[发明专利]蚀刻方法与蚀刻装置有效
| 申请号： | 02106574.8 | 申请日： | 2002-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1382831A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 渡边喜夫;三穗惠博则;朝隈直子;尼子博久 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;H05K3/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种蚀刻方法与装置,在微细化的图案上也能抑制侧面蚀刻的进行,高效地形成高精细的图案。对蚀刻对象物EO进行蚀刻的构成是将蚀刻液EL与气体GS混合由2流体喷嘴N进行喷射,与蚀刻对象物EO碰撞时的蚀刻液的微小液滴ES的速度为30～300m/秒,发生粒径为15～100μm的蚀刻液的微小液滴ES,蚀刻对象物EO与2流体喷嘴N的间距d为50～500mm,将蚀刻液的微小液滴ES喷射在蚀刻对象物EO上,沿着掩模层的图案将导电层蚀刻,将电路部形成图案等。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其特征在于具有：将蚀刻液与气体混合由2流体喷嘴喷射，以发生蚀刻液的微小液滴的工序；将蚀刻对象物与上述2流体喷嘴的间距设定为50～500mm，将上述蚀刻液的微小液滴喷射在上述蚀刻对象物上，对上述蚀刻对象物进行蚀刻的工序。
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