[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02106880.1 | 申请日： | 2002-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1371128A | 公开（公告）日： | 2002-09-25 |
| 发明（设计）人： | 日野美德;武石直英;谷口敏光 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在半导体衬底上形成晶体管而构成的半导体器件中,是以具备半导体衬底21内形成的低浓度源·漏层26、该源·漏层26内形成的高浓度源·漏层30、上述衬底21上隔着栅氧化膜25形成的栅电极38E、在该栅电极38E下方形成,构成位于上述源·漏层26与30间的沟道的P型体层32、多列接触上述源·漏层30的针形接触部47、以及通过该针形接触部47接触连接上述源·漏层30的源·漏电极为特征。并且,在接触被覆下层布线(2层布线)59的层间绝缘膜55内形成的通孔61的半导体器件中,是以在构成焊盘部的金凸形电极63下以外的区域形成上述通孔61为特征。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，是在半导体衬底上形成晶体管而构成的，其特征是将用于接触连接下层和上层的接触部配置成多个列。
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