[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 02107047.4 | 申请日： | 2002-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1377092A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 井上薰;池田义人;正户宏幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中,漏极电流的减少而使FET的操作很稳定,并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上,依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部,形成了和电子供给层104相连的栅电极106,同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：形成在衬底上的GaN膜、形成在上述GaN膜上的AlGaN膜、形成在上述AlGaN膜上的栅电极、形成在上述AlGaN膜上上述栅电极两侧的源电极和漏电极，其中：在上述源电极和上述AlGaN膜之间、上述漏电极和上述AlGaN膜之间分别形成了n型InxGayAl1-x-yN膜(0＜x＜1，0≤y＜1，0＜x+y＜1)。
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