[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法,是在PZT成膜中或者在其后的热处理时,能够抑制在插头上的区域的强电介质电容元件下部电极剥落的结构及其制造方法。是在强电介质电容元件下部电极的下面顺序叠层生长第1金属、金属氮化膜、第2金属,形成3层膜,该金属氮化膜由第1金属或者第2金属的氮化物构成。

主权项

1.一种半导体存储装置，它具有达到设在形成了有源元件的半导体衬底上的层间绝缘膜表面的插头，在所述插头上，由阻挡层、下部电极、强电介质膜或者高电介质膜组成的电容膜及上部电极按这样的顺序叠层而成电容元件，是具有这样电容元件的半导体存储装置，其特征在于：所述阻挡层，有3层以上的叠层结构，在所述插头表面或者与所述层间绝缘膜表面连接的一侧有第1金属层，在与所述下部电极连接的一侧有第2金属层，在所述第1金属和所述第2金属的层之间，至少具备一层金属氮化膜。