[发明专利]具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 02107438.0 | 申请日： | 2002-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1375862A | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 小野泰弘;篠原壮太 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法包含下列步骤。首先,依次在Si衬底上形成Ru或RuO2膜和SiO2层。然后,在SiO2层上形成抗蚀剂图形,并将其作为掩模来蚀刻SiO2层以形成接触孔。在接触孔的底部暴露Ru或RuO2膜。接着,利用通过混合O2与N2制备的灰化气体,在200℃或更高的衬底温度下进行等离子灰化,用于灰化抗蚀剂图形,灰化气体中N2的组分比为50%或更高。结果,本发明可以在高选择率下灰化Ru或RuO2膜上的抗蚀剂图形,以防止Ru或RuO2膜消失。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，此半导体器件包含钌和氧化钌中的至少一种，包括：利用包含氧气或臭氧气体和氮气的气体混合物灰化钌或氧化钌上的光敏感材料，其中氮气的百分含量为50％或更高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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