[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 02108203.0 | 申请日： | 2002-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1378285A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 广川正彦;松浦研;高木雅和 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/786;H02M7/217 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种能够以低阻抗将作为主开关器件的FET(场效应晶体管)的栅源电容短路的半导体器件。上述半导体器件包括第一FET、第二FET以及一个封壳。第一FET和第二FET都装在封壳内。第一FET构成主开关器件。第二FET的漏极和源极连接到第一FET的栅极和源极。封壳的外表面具有第一和第二FET的外部端子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包括：包括主开关的第一场效应晶体管；第二场效应晶体管，其漏极和源极连接到所述第一场效应晶体管的栅极和源极；以及其外表面带有外部端子的封壳，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管设置在该封壳里面。其中，所述外部端子与所述第一和第二场效应晶体管的漏极、源极或栅极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02108203.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
