[发明专利]在各像素具备补助电容的动态矩阵型显示装置无效
| 申请号： | 02108439.4 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1379276A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 米田清;宫岛康志;横山良一;山田努 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,王刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在像素部,各像素具有顶栅极型TFT、补助电容Csc、液晶电容C1c的动态矩阵型显示装置,补助电容Csc第1电极(30)由TFTp－Si主动层(14)兼用,第2电极(32)在主动层(14)下层,并在其间挟持绝缘层(12)而成,以使与主动层(14)至少一部份相重叠。在内藏驱动部情况下,驱动部TFT与像素部TFT同为顶栅极型,且主动层(140)与主动层(14)为同一材料,并在主动层(140)下层具挟持绝缘层(12)并与第2电极(32)同一材料构成导电层(32D)。在像素部将防止开口率下降并同时形成补助电容,且可通过像素部TFT与驱动部TFT使主动层多结晶化退火时条件相同,并获得特性一致的TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 具备 补助 电容 动态 矩阵 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种动态矩阵型显示装置，在各像素中具有薄膜晶体管、补助电容，其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极是电气连接于所述薄膜晶体管的主动层；所述补助电容的第2电极是在该主动层与所述基板之间挟持绝缘层而形成，以便与所述薄膜晶体管的主动层至少进行一部分重叠。
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