[发明专利]极弱微磁场的测量方法无效
| 申请号： | 02111733.0 | 申请日： | 2002-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1395113A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈建文;高鸿奕;谢红兰;徐至展 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 上海开祺专利代理有限公司 | 代理人： | 李兰英 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种极弱微磁场的测量方法，特别适用于磁通量小于10－15韦伯的弱磁场的测量。待测样品是由磁性材料构成，厚度小于或等于500纳米。首先将待测样品置于电子显微镜中拍摄待测样品的电子全息图。再将在电子显微镜中拍好的带有待测样品电子全息图的电子干板置放在光学马赫—陈特尔干涉仪上进行位相差放大，获得干涉图。读取干涉图中的干涉条纹数就可以获得待测样品的磁通量。与在先技术相比，本发明测量方法的测量灵敏度较高，能够测量漏磁场，极弱微磁场，以及进行阿哈拉诺夫—玻姆效应的验证。 | ||
| 搜索关键词： | 极弱微 磁场 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种极弱微磁场的测量方法，其特征在于具体测量方法是：准备由磁性材料构成的待测样品，待测样品的厚度小于或等于500nm；将上述待测样品置于电子显微镜中拍摄待测样品的电子全息图；将上述在电子显微镜中拍摄到的带有待测样品电子全息图的电子干板置放在光学马赫-陈特尔干涉仪上进行位相差放大，获得干涉图，读取干涉图中的干涉条纹数目N，求得待测样品的磁通量φ，φ=(N-1)h2ne式中h为普朗克常数，e为电子电荷，n为位相差放大次数。
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