[发明专利]离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法无效
| 申请号： | 02113082.5 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1388537A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张荣;徐剑;修向前;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/00;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入GaN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可能制备出高居里温度的磁性半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 法制 gan 稀释 磁性 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1、离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法，其特征是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。
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