[发明专利]半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02118043.1 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1379464A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 江头克 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件,包括由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底、第一元件形成区域、第二元件形成区域、第三元件形成区域和在第一到第三元件形成区域的每一个上形成的用途不同的半导体元件。第一元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜。第二元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到比第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜。第三元件形成区域从半导体衬底表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其特征在于包括：由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底；具有从上述表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜的第一元件形成区域；具有从上述表面埋入到比上述第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜的第二元件形成区域；从上述表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成的第三元件形成区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
