[发明专利]硅锭块生长装置有效

专利信息
申请号: 02118853.X 申请日: 2002-04-29
公开(公告)号: CN1392296A 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: 李洪雨;崔埈荣;赵铉鼎 申请(专利权)人: 希特隆股份有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C30B15/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘晓峰
地址: 韩国庆*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种硅锭块生长装置,其包含石墨坩埚,其中装有石英坩埚;传动轴,它与石墨坩埚的下部相连接,可使石墨坩埚实现旋转和上下移动,并为石墨坩埚提供支承,该传动轴包含内部中空的空心轴部分、与空心轴部分底部相连接的用于抑制热传递的绝热轴部分以及与绝热轴部分底部相连接的圆柱形轴部分;用于石墨坩埚加热的加热装置;以及用于石墨坩埚、加热装置和部分传动轴的保护和与外界环境实现温度隔离的绝热墙。本发明有助于降低高温带熔融硅和石英坩埚的温度梯度,改善热量分布的均匀性,进而达到提高单晶锭块质量的目的。
搜索关键词: 硅锭块 生长 装置
【主权项】:
1、一种硅锭块生长装置,其包含:石墨坩埚,其中装有石英坩埚;传动轴,它与石墨坩埚的下部相连接,可使石墨坩埚实现旋转和上下移动,并为石墨坩埚提供支承,该传动轴包含内部中空的空心轴部分、与空心轴部分底部相连接的用于抑制热传递的绝热轴部分以及与绝热轴部分底部相连接的圆柱形轴部分;用于石墨坩埚加热的加热装置;以及用于石墨坩埚、加热装置和部分传动轴的保护和与外界环境实现温度隔离的绝热墙。
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