[发明专利]相移掩膜的制作方法有效
申请号: | 02119016.X | 申请日: | 2002-04-29 |
公开(公告)号: | CN1455298A | 公开(公告)日: | 2003-11-12 |
发明(设计)人: | 钟维民;洪齐元;张庆裕;吴义镳 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民,王刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种相移掩膜的制作方法,是在形成图案化光阻层之后,在图案化光阻层的侧壁上形成薄的掩膜层覆盖铬层,然后再进行相位移层的制作,以图案化光阻层与掩膜层为掩膜,在透明基板上形成相位移开口。在掩膜层底下的铬层可精确地自行对准相位移层,避免多次光刻造成的对准误差,增进掩膜图案的精确度,而且可以减少一道光刻步骤,降低掩膜的制作成本。 | ||
搜索关键词: | 相移 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩膜的制作方法,至少包括下列步骤:在一透明基板上依序形成一不透光层与一图案化光阻层;形成一掩膜层覆盖该不透光层与该图案化光阻层;去除部分该掩膜层,剩下在该图案化光阻层侧壁上的部分该掩膜层,并且暴露出底下的部分该不透光层;去除该不透光层的暴露部分与底下的部分该透明基板,形成一相位移开口;以及去除该图案化光阻层与该图案化光阻层底下的该不透光层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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