[发明专利]相移掩膜的制作方法有效

专利信息
申请号: 02119016.X 申请日: 2002-04-29
公开(公告)号: CN1455298A 公开(公告)日: 2003-11-12
发明(设计)人: 钟维民;洪齐元;张庆裕;吴义镳 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G03F1/08 分类号: G03F1/08
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民,王刚
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种相移掩膜的制作方法,是在形成图案化光阻层之后,在图案化光阻层的侧壁上形成薄的掩膜层覆盖铬层,然后再进行相位移层的制作,以图案化光阻层与掩膜层为掩膜,在透明基板上形成相位移开口。在掩膜层底下的铬层可精确地自行对准相位移层,避免多次光刻造成的对准误差,增进掩膜图案的精确度,而且可以减少一道光刻步骤,降低掩膜的制作成本。
搜索关键词: 相移 制作方法
【主权项】:
1.一种相移掩膜的制作方法,至少包括下列步骤:在一透明基板上依序形成一不透光层与一图案化光阻层;形成一掩膜层覆盖该不透光层与该图案化光阻层;去除部分该掩膜层,剩下在该图案化光阻层侧壁上的部分该掩膜层,并且暴露出底下的部分该不透光层;去除该不透光层的暴露部分与底下的部分该透明基板,形成一相位移开口;以及去除该图案化光阻层与该图案化光阻层底下的该不透光层。
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