[发明专利]构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法有效
| 申请号： | 02119111.5 | 申请日： | 2002-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1384400A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 卢柄兑;安维新 | 申请（专利权）人： | LG.飞利浦LCD有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于构图铟锡氧化物的蚀刻剂和一种制造液晶显示装置的方法。其中,所述蚀刻剂是HCl、CH3COOH和水的混合溶液;所述方法包括下列步骤在衬底上形成栅极;在包含衬底的栅极上形成栅极绝缘层和非晶硅层;通过构图非晶硅层形成有源区域;在有源区域上形成源极和漏极;在源极、漏极和栅极绝缘层上形成钝化层;形成针孔用于露出漏极的一部分;在钝化层上形成铟锡氧化物层;使用HCl、CH3COOH和水的混合溶液作为蚀刻剂,通过选择性地蚀刻铟锡氧化物层,形成铟锡氧化物电极。 | ||
| 搜索关键词： | 构图 氧化物 蚀刻 制造 液晶 显示装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于构图铟锡氧化物的蚀刻剂，其特征在于，所述蚀刻剂是HCl、CH3COOH和水的混合溶液。
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