[发明专利]半导体激光器件无效
| 申请号： | 02119180.8 | 申请日： | 2002-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1392641A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 阿部真司;八木哲哉;宫下宗治;西口晴美;大仓裕二;笠井信之;田代贺久;谷村纯二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，它是具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件，其特征在于：在上述窗结构区及其附近实际上不存在位错环。
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