[发明专利]具有相同特性的存储单元的半导体存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 02119797.0 | 申请日： | 2002-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1385896A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 笠井直记 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/10;H01L27/108;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体存储器的制造方法中,下电极薄膜(60)经过层间绝缘薄膜(22,32,42,52)形成在半导体衬底(10)上。在单元阵列区均匀加热下电极层的同时,在下电极层上形成铁电薄膜(62)。在铁电薄膜上形成上电极薄膜(63)。在存储单元阵列区形成铁电电容器(70)。每个铁电电容器包括下电极薄膜,铁电薄膜和上电极薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 相同 特性 存储 单元 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体存储器的方法，其中包括步骤：(a)在半导体衬底上，通过层间绝缘薄膜，形成下电极薄膜；(b)在加热所述下电极层的同时，在所述下电极层上形成铁电薄膜；(c)在所述铁电薄膜上形成上电极薄膜；和(d)在存储单元阵列区形成铁电电容器，每个所述铁电电容器包括所述下电极薄膜，所述铁电薄膜，和所述上电极薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
