[发明专利]高压处理装置有效
| 申请号： | 02119819.5 | 申请日： | 2002-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1383191A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 山形昌弘;大柴久典;坂下由彦;井上阳一;村冈祐介;齐藤公続;沟端一国雄;北门龙治 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;大日本屏幕制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;B08B3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安,杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种在净室内可设置一部分的小型结构的装置,可稳定进行高压处理的高压处理装置。一种在加压下使被处理体接触高压流体和高压流体以外的药液,去除被处理体上的无用物质的高压处理装置,具有多个高压处理室、对各高压处理室提供高压流体的公共高压流体提供单元、对各高压处理室提供药液的公共药液提供单元、从处理完上述被处理体后上述高压处理室排出的高压流体和药液的混合物中分离气体成分的分离单元。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高压处理装置，在加压下使被处理体接触高压流体和高压流体以外的药液，去除被处理体上的无用物质，其特征在于，具有：多个高压处理室；对各高压处理室提供高压流体的公共高压流体提供单元；对各高压处理室提供药液的公共药液提供单元；从处理完上述被处理体后上述高压处理室排出的高压流体和药液的混合物中分离气体成分的分离单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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