[发明专利]制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体

摘要

在利用MOCVD制造化合物半导体的半导体制造系统中,引入装置用于将从原料气供应单元提供的原料气引导到放置在反应炉中的半导体衬底的表面,引入装置的主体被构成为空腔装置的形式,以形成用于将以指定方向传导原料气的原料气引导通路,同时,它由许多小孔构成,并且原料气引导通路中的原料气以垂直于所述指定方向的方向从小孔中喷射出来,从而将半导体衬底浸泡在引入装置以这种方式喷射出来的流量均匀的原料气流之中。此外,在喷嘴装置的内侧和外侧之间产生的压力差使从喷嘴装置喷射出来的原料气以均匀的流速在衬底的整个表面流动。多种原料气被单独引导到衬底附近,吹气将多种原料气吹向衬底,以利于所需的薄膜晶体。

主权项

1.一种半导体制造系统，它装备了反应炉和原料气供应单元，并且它能够通过利用安装在反应炉中的喷嘴单元将来自所述原料气供应单元的原料气排放到所述反应炉中安装的衬底的表面，从而利用外延汽相淀积工艺制造化合物半导体，所述半导体制造系统的特征在于：在所述喷嘴单元的原料气喷嘴装置的内侧和外侧之间产生压力差。