[发明专利]高压处理装置和方法无效
申请号: | 02120051.3 | 申请日: | 2002-05-17 |
公开(公告)号: | CN1387236A | 公开(公告)日: | 2002-12-25 |
发明(设计)人: | 沟端一国雄;村冈祐介;斉藤公続;北门龙治;井上阳一;坂下由彦;渡邉克充;山形昌弘 | 申请(专利权)人: | 日本网目版制造株式会社;株式会社神户制钢所 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/461;B08B3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 当基板清洗腔5的盖子打开,在腔中放置基板时,阀门V1,V2,V3,V4,和V6都关闭,只有阀门V5打开。于是,向基板清洗腔5提供气体CO2以防止环境空气成分进入腔及进行腔的净化。随着基板清洗腔5的盖子关闭,阀门V6继续关闭以形成基板清洗腔的5的排出管线。于是,在基板清洗腔5和导管中的气体残余受到CO2气体的排斥而进入环境空气中,从而进行了腔的净化而防止了任何不需要的环境空气成分的滞留。随后,使用超临界CO2清洗基板。当清洁循环线时,向循环线提供超临界CO2。超临界CO2流向基板清洗腔5。在流过包括循环管道11的所有循环线之后,超临界CO2通过旁路管道12流向减压器7。滞留在循环线中的任何化学试剂或有机物质与超临界CO2流体一起连续地流入到减压器8。 | ||
搜索关键词: | 高压 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用高压流体完成基板预定处理的高压处理装置,包括:高压流体供给部分,它用于将预定的处理流体转变为高压流体并提供高压流体;基板处理部分,它允许高压流体供给部分所提供的高压流体与基板相接触来处理放置于处理腔中的基板;高压流体回收部分,在高压流体用于处理在基板处理腔中的基板之后,该部分回收和重复使用高压流体;空气替换流体供给部分,它用于向处理腔提供空气替换流体,该空气替换流体具有与高压流体相同的成分;以及,排出部分,它用于排出在处理腔中的气体残余物,其中,在将基板放置于处理腔随即关闭处理腔之后直至开始提供高压流体的期间,空气替换流体供给部分向处理腔提供空气替换流体,以及排出部分利用所提供的空气替换流体排斥出在处理腔中的气体残余物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造