[发明专利]化合物半导体开关电路装置

摘要

本发明的课题是作成一种使利用2.4GHz以上的高频带的发送侧FET及接收侧FET具有不同的杂质浓度的沟道区的非对称型的电路。为此,将栅极宽度减小到400微米以减小栅极的电容成分,在两个信号路径之间获得规定的隔离,而且能实现输出所希望的最大线性功率的电路。可是,对失真严格的用户要求来说,功率不足,只控制沟道形成条件,Idss的增加有限。解决方法是使一个栅极宽度为500微米,并且控制沟道形成条件,从而确保Idss,并确保最大线性输入功率。

主权项

1.一种化合物半导体开关电路装置，该装置在沟道区表面上形成设有源极、栅极及漏极的第一及第二FET，将两个FET的源极或漏极作为公用输入端子，将两个FET的漏极或源极作为第一及第二输出端子，从连接在两个FET的栅极上的第一及第二控制端子施加控制信号，使某一FET导通，上述公用输入端子和上述第一及第二输出端子中的某一方形成信号路径，该化合物半导体开关电路装置的特征在于：上述两个FET分别形成为具有不同的栅极宽度的非对称型，设定上述的一个FET的栅极宽度比另一个的栅极宽度小，上述另一个FET的Idss比上述一个FET的Idss大。