[发明专利]利用硒化晶片接合的用于原子分辨率存储移动器的加工方法无效
| 申请号： | 02120306.7 | 申请日： | 2002-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387251A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | H·李;C·C·杨;P·哈特维尔 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;B81B5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京,黄力行 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于原子分辨率存储(ARS)系统(200)的改进的加工方法,其中在大部分其它的器件加工之前,在转子晶片(220)的介质侧上淀积导电电极(434(c))和保护层(350),因而保护用作ARS存储介质(222)的表面(460)免受随后的晶片薄化加工的影响。还在较后的阶段在定子晶片(230)中形成CMOS电路(232)。因此,CMOS电路232不易被热加工破坏。此外,转子晶片(220)的介质侧的加工可以在放宽的热积聚条件下进行。最后,因为转子晶片(220)的介质侧在转子晶片(220)和定子晶片(230)的晶片接合之前被加工,所以具有较小的可能性使晶片接合的可能性变小。因此,可以提高器件产量,降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 晶片 接合 用于 原子 分辨率 存储 移动 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于加工原子分辨率存储系统(200)的方法包括：通过在第一晶片(220)的第一侧上淀积导电电极(434(c))加工(610)第一晶片(220)的第一侧；在第一晶片(220)的第一侧上淀积(612)保护层(350)；接合(614)第一晶片(220)和处理晶片(530)；使第一晶片(220)在其第二侧被薄化(616)；加工(620)第二晶片(230)；接合(626)第一晶片(220)和第二晶片(230)；以及除去(628)处理晶片(530)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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