[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02120640.6 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1381890A | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 堤香里;福原成太;江泽弘和 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置具备半导体衬底包括在上述半导体衬底的上方形成并含有第1导电型杂质的第1多晶硅膜,和第1多晶硅膜上形成并含有Co、Ni和Pd的至少一种的第1硅化物膜的第1布线;包括在上述半导体衬底的上方形成并与上述第1多晶硅膜连接的,含有第2导电型杂质的第2多晶硅膜,和第2多晶硅膜上形成并含有Co、Ni和Pd的至少一种的第2硅化物膜的第2布线;以及具有跟上述第1多晶硅膜与第2多晶硅膜的边界区域对应的部分,并连接到上述第1硅化物膜和第2硅化物膜的导电连接部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于具备：半导体衬底；包括在上述半导体衬底的上方形成并含有第1导电型杂质的第1多晶硅膜，和第1多晶硅膜上形成并含有Co、Ni和Pd的至少一种的第1硅化物膜的第1布线；包括在上述半导体衬底的上方形成并与上述第1多晶硅膜连接的、含有第2导电型杂质的第2多晶硅膜，和第2多晶硅膜上形成并含有Co、Ni和Pd的至少一种的第2硅化物膜的第2布线；以及具有跟上述第1多晶硅膜与第2多晶硅膜的边界区域对应的部分，并连接到上述第1硅化物膜和第2硅化物膜的导电连接部。
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