[发明专利]半导体器件及其生产方法有效
| 申请号： | 02121344.5 | 申请日： | 2002-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1392611A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 真篠直宽;東光敏 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，使主电极垫片能与互连图案可靠地电连接。该半导体器件具有硅基片(半导体基片)、在该硅基片的一个表面上形成的电子元件形成层、具有延伸部分并与该电子元件形成层电连接的电极垫片、穿过该电极垫片和硅基片的通孔、SiO2膜(绝缘膜)、在电极垫片和延伸部分上的SiO2膜中提供的通路孔、以及互连图案，该互连图案把电极垫片经由通孔和通路孔引导到硅基片的另一表面，所述通孔在穿过电极垫片部分的直径大于穿过半导体基片部分的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：半导体基片；在所述半导体基片一个表面上形成的电子元件；在所述一个表面上形成的并与所述电子元件电连接的电极垫片，该电极垫片有一个延伸部分；穿过所述电极垫片和所述半导体基片的通孔；在至少是所述半导体基片的另一表面上、所述通孔的内壁以及包括所述延伸部分的电极垫片上形成的绝缘膜；在所述电极垫片的延伸部分上的所述绝缘膜中提供的通路孔；互连图案，通过所述通孔和所述通路孔把所述电极垫片电引导到所述半导体基片的另一表面；以及所述通孔在穿过所述电极垫片部分的直径大于穿过所述半导体基片部分的直径。
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