[发明专利]用于具有高热稳定性超浅结中的含铱硅化镍及其制法无效
| 申请号： | 02121529.4 | 申请日： | 2002-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN1384531A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | J·－S·马亚;Y·安奥;F·张 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路器件及其制造方法,包括在与铱夹层一起制备的硅基体上的硅化镍。在一个实施方案中,该方法包括在硅化反应之前,先将铱(Ir)交界层沉积在镍层和硅层之间。通过加入薄的铱层大大改善了热稳定性。这通过超浅结低的结漏电流以及在850℃下退火之后硅化物低的薄膜电阻而证明。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 高热 稳定性 超浅结 中的 含铱硅化镍 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅基体上制备硅化镍的方法，包括如下步骤：提供硅基体；在所说的硅基体上沉积铱；在所说的硅基体上沉积镍，其中所说的镍与所说的铱相接触；而且将所说的铱和镍退火以在所说的硅基体上形成硅化镍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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