[发明专利]低功率MRAM存储器阵列有效
| 申请号： | 02121618.5 | 申请日： | 2002-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1388533A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | M·巴塔查里亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MRAM存储器阵列(100)具有非线性字线(110)和线性位线(120)。字线(110)在存储器单元位置处(130)与位线(120)交叉,并且基本上在交叉点处与位线(120)共存。当电流通过字线(110)和位线(120)时,在共存点处字线(110)和位线(120)产生的磁场大致对齐。因此结果得到的场的磁化强度大于传统正交取向场。由于增加了字线(110)和位线(120)产生的场,可使用更小的字线和位线电流,这降低了存储器阵列(100)需要的尺寸。存储器阵列(100)还可利用具有用于产生横向磁场的磁性层(162)的存储器单元(150)。横向场与字线(110)和位线(120)产生的磁场正交取向,并且增加存储器单元(150)的转换的可重复性。横向场还减少转换存储器单元(150)所需的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mram 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM存储器阵列(100)，包括：存储器单元(150)阵列；多个在第一方向(x)延伸的非线性字线(110)；和多个在第二方向(y)延伸的实质线性的位线(120)，其中在多个存储器单元位置(130)处字线(110)与位线(120)交叉，并且在存储器单元位置(130)处放置存储器单元(150)。
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