[发明专利]半导体膜、半导体器件和它们的生产方法有效

专利信息
申请号: 02121623.1 申请日: 2002-05-31
公开(公告)号: CN1389905A 公开(公告)日: 2003-01-08
发明(设计)人: 浅见勇臣;一条充弘;铃木规悦;大沼英人;米泽雅人 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳,梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜,有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜,典型地,非晶硅膜,用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体,膜包含高浓度,或,具体地,1×1020/cm3-1×1021/cm3浓度的稀有气体元素,和1×1015/cm3-1×1017/cm3浓度的氟。
搜索关键词: 半导体 半导体器件 它们 生产 方法
【主权项】:
1.一种制造非晶半导体膜的方法,包括:将包括硅烷、稀有气体和氢的起始气体引入膜形成室中;产生所述起始气体的等离子体;以及用所述等离子体形成包括1×1018/cm3-1×1022/cm3浓度的稀有气体元素的非晶半导体膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02121623.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code