[发明专利]半导体膜、半导体器件和它们的生产方法有效
申请号: | 02121623.1 | 申请日: | 2002-05-31 |
公开(公告)号: | CN1389905A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 浅见勇臣;一条充弘;铃木规悦;大沼英人;米泽雅人 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜,有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜,典型地,非晶硅膜,用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体,膜包含高浓度,或,具体地,1×1020/cm3-1×1021/cm3浓度的稀有气体元素,和1×1015/cm3-1×1017/cm3浓度的氟。 | ||
搜索关键词: | 半导体 半导体器件 它们 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造非晶半导体膜的方法,包括:将包括硅烷、稀有气体和氢的起始气体引入膜形成室中;产生所述起始气体的等离子体;以及用所述等离子体形成包括1×1018/cm3-1×1022/cm3浓度的稀有气体元素的非晶半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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