[发明专利]热处理设备和用于热处理的方法有效
| 申请号： | 02121625.8 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1389898A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于在短时间内激活加到半导体的杂质元素并进行吸气过程的方法,以及一种使得这样的热处理能够进行的热处理设备。该热处理设备包括进行热处理的n段(n>2)的处理室、预热室和冷却室,并使用被n段加热单元加热的气体作为加热源来加热衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 设备 用于 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于加热衬底的热处理设备，使用被气体加热单元加热的气体作为加热源，包括：用于进行热处理的n段(n＞2)处理室，每个都具有气体加热单元；预热室；和冷却室，其中气体供应单元被连接到冷却室的充气口，冷却室的排气口通过热交换器被连接到第一气体加热单元，第m(1≤m≤(n-1))处理室的充气口被连接到第m气体加热单元的排气口，第n处理室的充气口被连接到第n气体加热单元的排气口，第n处理室的排气口被连接到热交换器，并且热交换器的排气口被连接到预热室的充气口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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