[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02121802.1 | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1383215A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 须田康夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L27/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一半导体器件,该器件通过对粘合在隔离体上的第一衬底和第二衬底进行切割而形成,其中隔离体位于切割后的第一衬底的一端;第二衬底是形成有一个或多个光接收元件的半导体晶片;第一衬底具有将光线会聚在上述光接收元件上的光学元件或光学元件组。一制造这一半导体器件的方法。一半导体器件制造方法,包括检测半导体衬底的翘曲一步;在去除翘曲的条件下将半导体衬底保持在基底上一步;将相对衬底粘合到半导体衬底上一步;对相对衬底进行切割的一步,其中,粘合到半导体衬底上的相对衬底用相应于半导体衬底的翘曲的尺寸或用与相对衬底相邻的间隔而设定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一半导体器件，该器件通过切割粘合在隔离体上的第一衬底和第二衬底而形成，其中：隔离体位于切割后的第一衬底的一端；第二衬底是和一个或多个光接收元件形成的半导体晶片；第一衬底具有将光线会聚在上述光接收元件上的一光学元件或一光学元件组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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