[发明专利]铱－钽－氧化物电极的等离子体腐蚀方法及腐蚀后的清洗方法无效
| 申请号： | 02121860.9 | 申请日： | 2002-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1387234A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | H·嬴;F·张;J·－S·马;S·T·许 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在集成电路中形成电极的方法,包括制备基于硅的衬底,包括衬底上形成半导体结构以形成集成衬底结构在衬底结构上淀积一层电极材料;构图电极材料层形成电极部件,其中所述构图包括在含有氟成分的腐蚀气体气氛中的等离子体反应室中等离子体腐蚀电极材料层;以及在去离子水槽中清洗衬底结构和电极部件。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 电极 等离子体 腐蚀 方法 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路中形成电极的方法，包括：制备基于硅的衬底，包括衬底上形成半导体结构以形成集成衬底结构；在衬底结构上淀积一层电极材料；以及构图电极材料层形成电极部件，其中所述构图包括在含有氟成分的腐蚀气体气氛中的等离子体反应室中等离子体腐蚀电极材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
