[发明专利]制造具有驱动集成电路的阵列衬底的方法

摘要

一种制造具有驱动集成电路的阵列衬底的方法包括以下步骤在衬底上形成由单晶硅构成的第一和第二半导体层;在第一和第二半导体层上淀积绝缘材料;在绝缘材料上淀积金属;在金属上形成第一光刻胶图形,其中第一光刻胶图形正好在第一和第二半导体上;通过刻蚀金属,分别在第一和第二半导体层上形成第一和第二栅极,其中第一和第二栅极比第一光刻胶图形窄;采用第一光刻胶图形作为第一掺杂掩模,掺杂n+离子;去掉第一光刻胶图形;采用第一和第二栅极作为第二掺杂掩模,掺杂n－离子;形成覆盖第一栅极和第一半导体层的第二光刻胶图形;用第二光刻胶图形和第二栅极作为第三掺杂掩模,掺杂p+离子;和掺杂p+离子之后去掉第二光刻胶图形。

主权项

1、一种制造具有驱动集成电路的阵列衬底的方法，包括：在衬底上形成第一和第二半导体层；在第一和第二半导体层上淀积绝缘材料；在绝缘材料上淀积金属；在金属上形成第一光刻胶图形，该第一光刻胶图形正好在第一和第二半导体上；通过刻蚀金属，分别在第一和第二半导体层上形成第一和第二栅极，第一和第二栅极比第一光刻胶图形窄；通过刻蚀绝缘材料，分别在第一和第二半导体层上形成第一和第二绝缘体图形，第一和第二绝缘体图形具有与第一光刻胶图形相等的宽度；采用第一光刻胶图形作为第一掺杂掩模，掺杂n+离子；灰化第一光刻胶图形，由此第一光刻胶图形变成减小的第一光刻胶图形，该减小的第一光刻胶图形具有与第一和第二栅极相同的宽度；用该减小的第一光刻胶图形作为刻蚀掩模，刻蚀第一和第二绝缘体图形；用该减小的第一光刻胶图形作为第二掺杂掩模，掺杂n-离子；在掺杂n-离子之后去掉减小的第一光刻胶图形；形成覆盖第一栅极和第一半导体层的第二光刻胶图形；用第二光刻胶图形和第二栅极作为第三掺杂掩模，掺杂p+离子；和掺杂p+离子之后去掉第二光刻胶图形。