[发明专利]半导体存储器无效
申请号: | 02122455.2 | 申请日: | 2002-06-04 |
公开(公告)号: | CN1389916A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 加藤大辅;吉田宗博;渡边阳二 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G11C11/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体存储器具有一个单元阵列,布置在该单元阵列内用于沿单元阵列的第一方向选择存储单元的若干第一标准元件,布置在所述单元阵列内用来和对应的一个或多个第一标准元件一起工作,从而沿单元阵列的第二方向选择存储单元的第二标准元件,用于替换单元阵列内的缺陷第一标准元件的第一冗余元件,以及用于替换单元阵列内的缺陷第二标准元件的第二冗余元件。在单元阵列内还规定第一修复或“解除”区和第二解除区,所述第一修复或“解除”区是允许借助各个第一冗余元件替换的一组第一标准元件,所述第二解除区是允许利用各个第二冗余元件替换的一组第二标准元件。独立控制是否用第一冗余元件替换同时激活的两个第一标准元件;另外,包含同时激活的两个第一元件中的任意一个的第一解除区内的缺陷的第二标准元件被和同时激活的两个第一标准元件中的另一个第一标准元件协同的用于选择存储单元的第二冗余元件替换。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
1、一种半导体存储器,包括:具有若干存储单元的单元阵列;被定义为所述单元阵列内沿第一方向排列的一组存储单元并且包括用于选择该组存储单元的第一选择线的若干第一标准元件;被定义为所述单元阵列内沿第二方向排列的一组存储单元并且包括用于选择该组存储单元的第二选择线的若干第二标准元件,每个所述第二标准元件选择操作上与对应的一个所述第一标准元件相关的一个存储单元;用于替换所述单元阵列内的缺陷第一标准元件的若干第一冗余元件;用于替换所述单元阵列内的缺陷第二标准元件的若干第二冗余元件;在所述单元阵列中,被定义为允许利用每个所述第一冗余元件替换的一组第一标准元件的第一修复区;和在所述单元阵列中,被定义为允许利用每个所述第二冗余元件替换的一组第二标准元件的第二修复区,其中:所述若干第一标准元件中的至少两个第一标准元件被同时激活,相互独立地控制是否用所述第一冗余元件替换这样同时激活的至少两个第一标准元件,以及修复包括所述同时激活的至少两个第一标准元件之一的一个所述第一修复区内的缺陷第二标准元件的至少一个所述第二冗余元件不和所述同时激活的至少两个第一标准元件中包含在所述第一修复区内的所述一个第一标准元件相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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