[发明专利]化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法无效
申请号: | 02122659.8 | 申请日: | 2002-06-18 |
公开(公告)号: | CN1392595A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 酒井士郎;高松勇吉;森勇次;王宏兴;小宫由直;吴羽羚儿;石滨义康;纲岛丰 | 申请(专利权)人: | 日本派欧尼股份株式会社;德岛酸素工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 孙爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备,所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段,以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段,其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的,以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下,也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。 | ||
搜索关键词: | 化学 汽相淀积 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备,所述的设备包含一装有以下设备的卧式反应管:用于支承衬底的基座;用于加热衬底的加热器;使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段;以及反应气体排出段,以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段,其中在配料气体气路的上游侧至少一部分加压气体引入段的结构是这样的,以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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