[发明专利]下层块金属的阻挡层盖无效
| 申请号： | 02123040.4 | 申请日： | 2002-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1391261A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周洋明;葛以廉 | 申请（专利权）人： | 卓联科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟,梁洁 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 一种在具有金属焊接垫(4)的半导体薄片上制造焊料块的方法，包括步骤(a)至少在焊接垫上提供一层或多层金属附着/阻挡层/电镀接触层(8)；(b)形成一层具有确定所述焊接垫的开口预定图案的保护层(10)；(c)在块金属(12)下的开口内提供一层焊料可附着层；(d)从开口区域去掉一定量的保护层，在可附着金属层的边缘和该保护层(10)之间形成一个开口；(e)在焊料可附着金属层(12)包括步骤(d)形成的所述开口上提供一层阻挡层金属层(14)，它能够封装该可附着金属层；(f)在该阻挡层金属层上形成一个焊料块；(g)去除该保护层材料；及(h)去除任何曝光的附着/阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 下层 金属 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种在具有金属焊接垫的半导体薄片上制造焊料块的方法，包括步骤：(a)至少在该焊接垫上提供一层金属电镀接触层；(b)形成一层具有确定所述焊接垫开口的预定图案的保护层；(c)在该电镀接触层上该开口内形成一层焊料可附着金属层；(d)从该开口区域去掉一定量的保护层，在金属可附着层的边缘和该保护层之间形成一个开口；(e)在焊料可附着金属层包括步骤(d)形成的所述开口上提供一层阻挡层金属层，它能够封装该可附着金属层；(f)在该阻挡层金属层上形成一个焊料块；(g)去除该保护层材料；及(h)去除任何曝光的电镀接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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