[发明专利]电容元件、半导体存储器及其制备方法

摘要

本发明的目的在于维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性，并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极31的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层15覆盖起来。上方电极33的上面、该上方电极33、电容绝缘膜32及掩埋绝缘膜16的各个侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氢扩散的第2绝缘性阻挡层17覆盖起来。第2绝缘性阻挡层17在下方电极31两侧的区域和第1绝缘性阻挡层15相接触。

主权项

1、一种电容元件，它包括：下方电极、形成在该下方电极上且由金属氧化物制成的电容绝缘膜、形成在该电容绝缘膜上的上方电极、以及将该下方电极周围掩埋起来的掩埋绝缘膜，其中：该下方电极中包括防止氧扩散的导电性阻挡层；形成有至少和该下方电极侧面中该导电性阻挡层的侧面相接触，来防止氢扩散的绝缘性阻挡层。