[发明专利]灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种灰化装置，一种灰化方法，和一种用于制造半导体器件的方法，该装置和方法能够减少残留在被处理体上的异物。该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤在底膜1上形成氮化钛膜2；在氮化钛膜2上涂敷光致抗蚀膜，将该光致抗蚀膜曝光、显影；使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻加工装置，以光致抗蚀膜4a为掩膜，对氮化钛膜2进行蚀刻；将氧气及氮气的混合气体导入光致抗蚀膜附近，并将该气体进行等离子化处理，从而对光致抗蚀膜进行灰化；将水蒸汽导入氮化钛膜附近，并将该气体进行等离子化处理，从而对氮化钛膜上的异物进行灰化。

主权项

1.一种灰化装置，通过使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻装置对被处理体上的光致抗蚀膜进行灰化处理，其特征在于，以光致抗蚀膜为掩膜对氮化钛膜进行蚀刻，所述装置包括：一个灰化室；一个用于将被处理体放置在所述灰化室中的载物台；一个气体导入系统，用于导入灰化气体至放置在载物台上的被处理体的附近；以及一个等离子系统，用于对通过所述气体导入系统导入的灰化气体进行等离子化，其中，所述灰化气体是包含氧气及氮气的混合气体或者水蒸气。