[发明专利]一种具有高抗张强度阻障层的形成方法无效
| 申请号： | 02124709.9 | 申请日： | 2002-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1396647A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 叶名世;谢文益 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种具有高抗张强度阻障层的形成方法，用以改善铜双镶嵌内连线的可靠度。本发明首先提供一半导体晶片，其包含有一具有一双镶嵌结构之低介电常数材料层。该双镶嵌结构包含有一导线沟渠结构以及一接触窗开口，其中该接触窗开口通达一下层金属导线。接着于该双镶嵌结构表面以及该低介电常数材料层上形成一阻障层。该阻障层系在温度约为300至400℃形成。随后，将该半导体晶片冷却至室温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 抗张强度 阻障 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善双镶嵌(dualdamascene)制程可靠度的方法，该方法包含有下列步骤：提供一半导体晶片，其包含有一具有一双镶嵌结构之旋转涂布(spin-on-coating，SOC)介电层，该双镶嵌结构包含有一导线沟渠结构以及一接触窗开口；加热该半导体晶片至一预定温度，同时于该双镶嵌结构表面形成一阻障(barrier)层，其中该预定温度可使该旋转涂布介电层产生热膨胀；以及冷却该半导体晶片以及该阻障层，使该阻障层预先承受应力(pre-stress)；其中该旋转涂布介电层具有一第一热膨胀系数(thermalexpansioncoefficient)，该阻障层具有一第二热膨胀系数，且该第二热膨胀系数小于该第一热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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