[发明专利]混合集成电路装置的制造方法有效
| 申请号： | 02125144.4 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395301A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 饭村纯一;大川克实;小池保广;西塔秀史 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种混合集成电路装置的制造方法，在模装工序中在模腔内要固定混合集成电路衬底的水平方向的位置。本发明通过使保持一定间隔的特定导线39a、39b与第一连结部53连接的部分与设于模型上的导销46a、46b接触，可固定混合集成电路衬底31的位置。由于特定导线39a、39b的间隔与混合集成电路衬底31的端子数无关，故即使端子数不同也可共用模型。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种混合集成电路装置的制造方法，其特征在于，包括下述工序：准备通过导电图形电连接有电路元件的混合集成电路衬底；将作为输入或输出端子向外部延伸的导电装置用焊料固定在所需的所述导电图形上；通过用模装的上下模型夹持所述导电装置进行定位，来固定所述混合集成电路衬底的位置；利用使用了热硬性树脂的传递模模装总括模装所述混合集成电路衬底。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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