[发明专利]多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法有效
| 申请号： | 02125156.8 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1396629A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 郑世镇 | 申请（专利权）人： | LG.飞利浦LCD有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00;H01L21/336;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅结晶方法，一种使用该结晶方法的薄膜晶体管制造方法，及其液晶显示器制造方法，这些方法使得能够形成高质量的具有一致取向晶粒的多晶硅层。多晶硅结晶方法包括第一步骤，在一个衬底上形成多晶硅层；第二步骤，除了一部分具有特定取向的晶粒以外，使多晶硅层的晶粒成为非结晶的；和第三步骤，使用具有特定取向的晶粒使多晶硅层结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 结晶 方法 薄膜晶体管 及其 液晶显示器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅结晶方法，包括：第一步骤，在一个衬底上形成多晶硅层；第二步骤，除了一部分具有特定取向的晶粒以外，使多晶硅层的晶粒成为非结晶的；和第三步骤，使用具有特定取向的晶粒使多晶硅层结晶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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