[发明专利]半导体膜、半导体膜的形成方法、及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02125162.2 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395287A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 森本佳宏 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，对形成于绝缘性基板(10)上的a－Si膜(12)照射激光(14)而成为p－Si膜(13)，而且将该p－Si膜(13)进行高压氧化而形成表面氧化膜(13a)。然后，通过去除该表面氧化膜(13a)，而将p－Si膜(13)表面所产生的突起部(100)的高度降低，可以使p－Si膜(13)的表面平坦。由此，可去除在半导体膜产生的突起而获得使该表面平坦的半导体膜，同时使用该半导体膜而提供具有良好特性的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 方法 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体膜，其特征在于：通过将表面具有凹凸的半导体膜氧化，并将该表面氧化膜去除，而将所述半导体膜的表面进行平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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