[发明专利]用于制造半导体器件的非氧化隔离衬致密化方法无效
| 申请号： | 02126978.5 | 申请日： | 2002-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1400647A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 布莱特·D·洛厄;约翰·A·史米塞;蒂莫西·K·卡恩斯 | 申请（专利权）人： | 齐洛格公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于生产诸如MOSFET等半导体器件的非氧化隔离衬致密化方法，并可在半导体制造期间可以很少或基本上没有在隔离衬致密化期间受到的多硅化物附着力的损失而实现。该方法可被实现以提供良好的多硅化物附着力特性，通过免除了对诸如金属硅化物封装或多晶硅表面处理等附加工艺步骤的需要而比传统方法降低了工艺复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 氧化 隔离 致密 方法 | ||
【主权项】：
1.对至少部分围绕多硅化物结构的隔离衬氧化物致密化的方法，所述方法包括在非氧化环境中致密化所述隔离衬氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
