[发明专利]形成贵金属薄膜构图的方法无效
| 申请号： | 02127334.0 | 申请日： | 2002-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1405797A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 夏目洁;内藤宽 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;G01K7/18;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成贵金属薄膜的方法。在该方法中，在一衬底上形成一牺牲膜，并在该牺牲膜上形成一掩蔽层。经过该掩蔽层形成具有预定构图的开口。去除该开口中显露的牺牲膜，以形成比衬底上的开口宽的腔。在整个衬底表面上沉积贵金属薄膜。溶解并去除该牺牲膜以形成贵金属薄膜构图。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 贵金属 薄膜 构图 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成贵金属薄膜的方法，包括步骤：(a)在一衬底上形成一牺牲膜，并在该牺牲膜上叠置具有不同蚀刻特性的掩蔽层；(b)经过所述掩蔽层形成具有预定构图的一开口；(c)蚀刻所述开口中显露的所述牺牲膜，并侧蚀刻所述牺牲膜而越过所述掩蔽层的该开口的边界一预定的量；(d)在所述衬底的整个表面上沉积贵金属薄膜；以及(e)溶解并去除所述的牺牲膜。
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