[发明专利]稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 02131345.8 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1402291A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王金淑;周美玲;王亦曼;陶斯武 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J1/30 |
| 代理公司： | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1－10％，铼占0－5％，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1－10％的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入0－5％的铼，在氢气气氛中，500－650℃下还原0.5－1.5小时，800－1000℃下还原保温1－3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 钪钨基高 电流密度 电子 发射 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料，其特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10％，铼占0-5％，其余为钨。
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